Samsung comienza a producir su segunda generación de RAM de 10 nm

La división de electrónica de Samsung presume de empezar la fase de producción de sus memorias RAM de 10 nanómetros, con capacidad de 8 Gb DDR4 DRAM.

La aplicación de estas memorias abarca un rango amplio de sistemas, desde ordenadores de consumo hasta entornos empresariales. Según cifras de Samsung, estas nuevas memorias aumentan la eficiencia energética de los modelos anteriores entre un 10 y un 15 %. Además, según la compañía coreana, pueden operar a 3600 megabits por segundo (por pin), comparado con los 3200 Mbps de la primera generación. Esto supone apenas un 12 % más, pero en términos técnicos, esa diferencia puede ser importante.

Este hardware precede a próximos lanzamientos que veremos a lo largo de los próximos años; la tecnología DDR5, HBM3, LPDDR5 y GDDR6, que se usarán en entornos de servidores, dispositivos móviles, supercomputación y tarjetas gráficas. Samsung ha incluido en estos chips un sistema de espaciado entre los condensadores que permite una menor pérdida de capacidad.

Las nuevas memorias de Samsung, junto con la primera generación de RAM de 10 nm, son todavía una tecnología poco accesible al público general. Tanto los ordenadores de venta comercial, como las placas de dispositivos móviles, aún incluyen en su mayoría memorias de 28 nm con un consumo energético mucho mayor (pero menor coste). Es cuestión de tiempo que esta tecnología se abarate y pronto resulte más asequible.

Fuente: Samsung Newsroom Via GSMArena

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